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U盘数据恢复-NAND芯片坏块管理和删除

2018-4-3 16:21| 发布者: 蝴蝶| 查看: 1794| 评论: 5

摘要: U盘提示格式化,U盘无容量等U盘数据恢复问题现在比较常见,很多时候是NAND芯片损坏导致,现代NAND芯片的每一颗晶体都由几个平面组成。通常,它由2或4个平面组成。该平面由分组为页面和块的存储器单元阵列组成。连接 ...
U盘提示格式化,U盘无容量等U盘数据恢复问题现在比较常见,很多时候是NAND芯片损坏导致,现代NAND芯片的每一颗晶体都由几个平面组成。通常,它由2或4个平面组成。该平面由分组为页面和块的存储器单元阵列组成。连接平面使得平面0由偶数物理块(0,2,4,6,...)组成,平面1包括奇数块(1,3,5,7,...)。由于质量相对较差,TLC NAND芯片存在工厂缺陷。每个晶体和平面的缺陷都是独一无二的。在每个块的所有页面中,来自一个平面的缺陷是相同的。这些缺陷称为坏列。 Bad Columns仅在具有WL tripple地址/ WL tripple地址和DDR数据传输协议的芯片中呈现。

U盘数据恢复-NAND芯片坏块管理和删除


这些垂直条纹是坏列。在练习1 ... 80个缺陷/列(每页2 ... 160个字节)中,一个页面中的错误列数可以是任意数量。坏列的典型大小是2个字节,很少是1个字节,有时它们被组合在一起作为4,6个字节。对于每个平面,页面上的坏列的分布是唯一的。坏列通常由00 / FF或任何其他二进制模式填充。当提取芯片的物理图像时,物理块顺序读取,因此图像由来自平面0和平面1(平面2,平面3)的交替块组成。由于不同平面的页面和块具有不同的缺陷,因此在物理图像(转储)中,坏列将以2或4个块的周期(区域大小)重复。物理图像有2个飞机和坏列,如下图所示。

U盘数据恢复-NAND芯片坏块管理和删除


U盘数据恢复-NAND芯片坏块管理和删除

当向NAND写入和读取数据时,控制器会跳过坏列,因为它知道它们在芯片中的位置。坏列不存储任何用户数据。在分析和逻辑图像重建之前,有必要从物理图像中删除坏列,因为它们会移动所有数据。

U盘数据恢复-NAND芯片坏块管理和删除


有必要确定每个平面的一页内的坏列的位置,大小和数量。位置是从页面开头的错误列的偏移量。坏列大小以字节表示。 Number确定从页面开头的偏移量,必须添加该偏移量才能减少坏列缺陷。

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引用 潭水千尺 2020-7-17 13:28
厉害。学习了。。
引用 voleo16 2020-7-8 16:10
学习了,大佬真厉害
引用 gswwjm 2020-5-15 10:54
求实操步进图
引用 chenshuangfa 2020-5-13 11:38
你怎么不看一下发帖的时间啊
引用 cmeijin1123 2020-5-1 15:58
你好,我的U盘数据丢失了,现在找不回了,请求帮助。QQ342527644,  之前在淘宝上试过,没有恢复成功。

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