彻底碾压任何对手：三星闪存要堆100层

东芝、美光近来积极布局3D立体堆叠的NANDSSD/" target="_blank" class="relatedlink">闪存架构，东芝已经做到64层，让这方面的领导者三星感到压力山大，日前也宣布了自己的第四代V-NAND，同样达到64层，存储密度比现在提高30％，硬盘最大容量可以做到惊人的32TB。

据韩国媒体报道，基于第四代V-NAND闪存的三星固态硬盘将在今年第四季度上市，但具体产品不详——860 EVO？

三星2013年全球第一家量产了3D NAND，第一代24层，第二代增加到32层，当前的第三代为48层。

统筹三星半导体部门的金奇南社长还透露：“预计在不久的将来，三星将会推出100层以上堆叠的1TB等级的闪存产品。”