iPhone 6S里边的A9处理器首次由两家厂商、两种工艺制造，分别是台积电16nm、三星14nm。虽然都属于FinFET立体晶体管工艺，但差别还是很明显的，最终连核心面积都不同。
TechInsight已经完成了对台积电16nm版本的详尽分析，发现它使用了12个金属层(11层铜和1层铝)，金属栅极FinFET晶体管长度约33nm，栅极触点节距90nm，和不久前的20nm HKMG工艺几乎一样，说明二者共用了某些设计。 以下显微照片来自扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、分析型透射电镜-能谱仪(TEM-EDS)、电子能量损失显微镜(EELS)、扩散阻力分析(SRP)等多种观测手段。 顶部封装
底部封装
内核
内核侧切面
内核侧边缘
硅鳍片
侧视图：各个金属层清晰可见
外围晶体管
栅极晶体管
金属层
触点与通道
第10、11层通道
|
