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惠普、闪迪开发非易失新闪存:速度快千倍

2015-11-3 16:54| 发布者: 蝴蝶| 查看: 4533| 评论: 0|来自: mydrivers.com

摘要: 今年7月份,Intel联合美光推出了3D XPoint存储方案,从形式上可理解为“3D闪存”。Intel在8月的IDF上上来就介绍了这项新技术,这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案,读取延迟10纳秒级别,使用寿命即全盘写入1000 ...
今年7月份,Intel联合美光推出了3D XPoint存储方案,从形式上可理解为“3DSSD/" target="_blank" class="relatedlink">闪存”。

Intel在8月的IDF上上来就介绍了这项新技术,这是一种基于电阻的非易失性内存存储方案,读取延迟10纳秒级别,使用寿命即全盘写入1000万次级别,介于传统DRAM、NAND之间。

令人印象深刻的是,Intel称基于3D XPoint非易失性存储方案,比传统NAND闪存速度快1000倍、寿命长1000倍、存储密度高10倍,号称1989年NAND闪存推出以来最大的存储技术创新。

考虑到现在DRAM、固态硬盘市场的蓬勃发展,蛋糕可不能仅仅由Intel和美光独享。

外媒报道称,惠普与SanDisk周四共同宣布,双方将就联合推出新内存芯片达成合作协议。新技术号称可比传统闪存快1000倍,主要面向市场除了移动设备外,还包括数据中心等企业领域。

很明显,惠普与SanDisk的技术合作旨在挑战英特尔与美光于今年7月共同推出3D Xpoint内存技术。惠普和SanDisk表示,其新内存产品可于未来大规模取代传统DRAM,以更低价格和更快性能入驻企业数据中心

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