内存时脉参数

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  CAS Latency（CL）：内存CAS(Column Address Strobe，列地址选通脉冲)延迟时间控制SDRAM内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。在BIOS设置中DDR内存的CAS参数选项通常有“1.5”、“2”、“2.5”、“3”几种选择，SDRAM则只有“2”、“3”两个选项。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。

Row Active Delay（tRAS）：内存行地址选通延迟。一般我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－11之间。

RAS-to-CAS Delay（tRCD）：内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。该参数可以控制内存行地址选通脉冲信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟：1～15可选，参数越小内存越快。

Row Precharge Delay（tRP）：内存行地址选通脉冲预充电时间。该参数可以控制在进行RAM刷新操作之前行地址选通脉冲预充电所需要的时钟周期数，1～7可选参数越小内存越快。

蒋道阵

一般DDR 内存条定位方法：
与内存条PIN002（或者PIN094）相连的IC，对应于阵列上每行左边第1 个灯
与内存条PIN012（或者PIN105）相连的IC，对应于阵列上每行左边第2 个灯
与内存条PIN023（或者PIN114）相连的IC，对应于阵列上每行左边第3 个灯
与内存条PIN033（或者PIN133）相连的IC，对应于阵列上每行左边第4 个灯
与内存条PIN053（或者PIN146）相连的IC，对应于阵列上每行左边第5 个灯
与内存条PIN061（或者PIN153）相连的IC，对应于阵列上每行左边第6 个灯
与内存条PIN072（或者PIN171）相连的IC，对应于阵列上每行左边第7 个灯
与内存条PIN083（或者PIN174）相连的IC，对应于阵列上每行左边第8

蒋道阵

一般DDR 内存条定位方法：
与内存条PIN002（或者PIN094）相连的IC，对应于阵列上每行左边第1 个灯
与内存条PIN012（或者PIN105）相连的IC，对应于阵列上每行左边第2 个灯
与内存条PIN023（或者PIN114）相连的IC，对应于阵列上每行左边第3 个灯
与内存条PIN033（或者PIN133）相连的IC，对应于阵列上每行左边第4 个灯
与内存条PIN053（或者PIN146）相连的IC，对应于阵列上每行左边第5 个灯
与内存条PIN061（或者PIN153）相连的IC，对应于阵列上每行左边第6 个灯
与内存条PIN072（或者PIN171）相连的IC，对应于阵列上每行左边第7 个灯
与内存条PIN083（或者PIN174）相连的IC，对应于阵列上每行左边第8